PMCXB1000UEZ
참조 용
| 부품 번호 | PMCXB1000UEZ |
| PNEDA 부품 번호 | PMCXB1000UEZ |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,302 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMCXB1000UEZ 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMCXB1000UEZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMCXB1000UEZ 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| 전력-최대 | 285mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1010B-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1108pF @ 25V 전력-최대 38W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 74A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 161nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2788pF @ 1000V 전력-최대 375W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5316pF @ 25V 전력-최대 208W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 131A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 5mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4750pF @ 1000V 전력-최대 625W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-3 Module 공급자 장치 패키지 D3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 72mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 10V 전력-최대 330mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 VS-8 (2.9x1.5) |
