다이오드 및 정류기

BA783S-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

RF DIODE PIN 35V SOD323

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

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BA783S-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SOD323

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

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BA783S-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SOD323

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

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BA783S-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

RF DIODE PIN 35V SOD323

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

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BA783S-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

RF DIODE PIN 35V SOD323

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: SOD-323

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BA792,115

NXP

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SOD110

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 200MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-110
• 공급자 장치 패키지: SOD110

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BA885E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 50V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BA885E7631HTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 50V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA891,115

NXP

다이오드-RF

DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 715mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: SOD-523

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BA 892-02L E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V TSLP-2-1

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: TSLP-2-1

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BA 892-02V E6127

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA 892-02V E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA 892-02V E6433

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA89202VH6127XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA89202VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA89202VH6433XTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BA 892 E6127

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA 892 E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA 892 E6433

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA892H6127XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA892H6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA892H6433XTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA892H6770XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA 892 L6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA89502VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE GEN PURP SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• 다이오드 유형: -
• 전압-피크 역방향 (최대): -
• 현재-최대: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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BA 895 E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 50V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA895H6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 50V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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BA979-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

DIODE PIN 30V SOD80 QUADROMELF

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz
• 저항 @ If, F: 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-80 Variant
• 공급자 장치 패키지: SOD-80 QuadroMELF

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BA979-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

DIODE PIN 30V SOD80 QUADROMELF

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz
• 저항 @ If, F: 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-80 Variant
• 공급자 장치 패키지: SOD-80 QuadroMELF

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BA979S-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

DIODE PIN 30V SOD80 QUADROMELF

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 50mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 100MHz
• 저항 @ If, F: 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-80 Variant
• 공급자 장치 패키지: SOD-80 QuadroMELF

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