메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음6,138
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음4,392
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)	재고 있음5,184
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)	재고 있음3,456
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)	재고 있음6,444
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)	재고 있음3,672
MT45W8MW16BGX-856 AT Micron Technology Inc.	기억 IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)	재고 있음3,402
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음6,552
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음3,472
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음4,518
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음4,752
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음7,074
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음6,282
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음8,208
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음5,112
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음7,110
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)	재고 있음4,734
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,736
MT46H128M16LFCK-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)	재고 있음133,916
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,472
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음23,748
MT46H128M16LFDD-48 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음2,925
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음4,572
MT46H128M16LFDD-48 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,606
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음2,466
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,178
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,904
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	견적 요청
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,156
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,452

MT45W512KW16PEGA-70 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음6,138

MT45W512KW16PEGA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음4,392

MT45W8MW16BGX-701 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)

재고 있음5,184

MT45W8MW16BGX-701 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)

재고 있음3,456

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)

재고 있음6,444

MT45W8MW16BGX-708 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)

재고 있음3,672

MT45W8MW16BGX-856 AT

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x10)

재고 있음3,402

MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음6,552

MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음3,472

MT46H128M16LFB7-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음4,518

MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음4,752

MT46H128M16LFB7-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음7,074

MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음6,282

MT46H128M16LFB7-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음8,208

MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음5,112

MT46H128M16LFB7-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음7,110

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x10)

재고 있음4,734

MT46H128M16LFCK-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,736

MT46H128M16LFCK-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)

재고 있음133,916

MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,472

MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음23,748

MT46H128M16LFDD-48 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음2,925

MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음4,572

MT46H128M16LFDD-48 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,606

MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음2,466

MT46H128M32L2KQ-48 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,178

MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,904

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

견적 요청

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,156

MT46H128M32L2KQ-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,452

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