메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음8,676
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,930
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,808
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,862
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,354
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,886
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,430
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,444
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음7,362
MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음2,610
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음4,788
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음3,582
MT46H128M32L2MC-6 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음5,724
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)	재고 있음6,120
MT46H16M16LFBF-5:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음5,274
MT46H16M16LFBF-5:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,750
MT46H16M16LFBF-5 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음2,100
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음5,652
MT46H16M16LFBF-6 AT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,910
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,240
MT46H16M16LFBF-6:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,568
MT46H16M16LFBF-6:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,750
MT46H16M16LFBF-6:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,312
MT46H16M16LFBF-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,066
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음7,380
MT46H16M16LFBF-6 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음5,886
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음2,178
MT46H16M16LFBF-75:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 6.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,946
MT46H16M32LFB5-5 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음36,459
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,218

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음8,676

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,930

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,808

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,862

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,354

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,886

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,430

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,444

MT46H128M32L2MC-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 240-WFBGA
공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)

재고 있음7,362

MT46H128M32L2MC-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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재고 있음2,610

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
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접근 시간: 5.0ns
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재고 있음4,788

MT46H128M32L2MC-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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패키지 / 케이스: 240-WFBGA
공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)

재고 있음3,582

MT46H128M32L2MC-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
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패키지 / 케이스: 240-WFBGA
공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)

재고 있음5,724

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 240-WFBGA
공급자 장치 패키지: 240-WFBGA (14x14)

재고 있음6,120

MT46H16M16LFBF-5:H

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
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공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음5,274

MT46H16M16LFBF-5:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,750

MT46H16M16LFBF-5 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음2,100

MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음5,652

MT46H16M16LFBF-6 AT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,910

MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,240

MT46H16M16LFBF-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,568

MT46H16M16LFBF-6:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,750

MT46H16M16LFBF-6:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,312

MT46H16M16LFBF-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,066

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음7,380

MT46H16M16LFBF-6 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음5,886

MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음2,178

MT46H16M16LFBF-75:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 6.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,946

MT46H16M32LFB5-5 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음36,459

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,218

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