메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT46H32M16LFBF-6 AT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,640
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,280
MT46H32M16LFBF-6 AT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,066
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,654
MT46H32M16LFBF-6:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음4,860
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,064
MT46H32M16LFBF-6 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음6,372
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음3,366
MT46H32M16LFCK-6 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,068
MT46H32M16LFCK-6 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)	재고 있음5,616
MT46H32M32LFB5-48 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,790
MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,732
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,910
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음12,588
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,518
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,002
MT46H32M32LFB5-5 AT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,274
MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,984
MT46H32M32LFB5-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,742
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,372
MT46H32M32LFB5-6 AT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,614
MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,482
MT46H32M32LFB5-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,736
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,496
MT46H32M32LFCG-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음3,708
MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음7,902
MT46H32M32LFCG-6:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음5,184
MT46H32M32LFCG-6:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음2,448
MT46H32M32LFCG-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음5,346
MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 152-VFBGA 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)	재고 있음2,268

MT46H32M16LFBF-6 AT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,640

MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,280

MT46H32M16LFBF-6 AT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,066

MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,654

MT46H32M16LFBF-6:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음4,860

MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,064

MT46H32M16LFBF-6 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음6,372

MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음3,366

MT46H32M16LFCK-6 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,068

MT46H32M16LFCK-6 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)

재고 있음5,616

MT46H32M32LFB5-48 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,790

MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,732

MT46H32M32LFB5-5 AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,910

MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음12,588

MT46H32M32LFB5-5 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,518

MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,002

MT46H32M32LFB5-5 AT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,274

MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,984

MT46H32M32LFB5-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,742

MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,372

MT46H32M32LFB5-6 AT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,614

MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,482

MT46H32M32LFB5-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,736

MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,496

MT46H32M32LFCG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음3,708

MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음7,902

MT46H32M32LFCG-6:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음5,184

MT46H32M32LFCG-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음2,448

MT46H32M32LFCG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음5,346

MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 152-VFBGA
공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)

재고 있음2,268

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