메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT46H32M32LFCM-5:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음2,412
MT46H32M32LFCM-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음5,940
MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음6,372
MT46H32M32LFCM-6:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음4,482
MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음6,156
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음4,734
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음8,424
MT46H32M32LFJG-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,598
MT46H32M32LFJG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,556
MT46H32M32LFJG-6:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음7,290
MT46H32M32LFJG-6:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음8,910
MT46H32M32LFJG-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음7,884
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음4,068
MT46H32M32LFMA-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,997
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,328
MT46H32M32LFMA-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,472
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음3,384
MT46H32M32LFT68MWC2 Micron Technology Inc.	기억 MOBILE DDR 1G DIE 32MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
MT46H4M32LFB5-5 IT:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,794
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,154
MT46H4M32LFB5-5:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,352
MT46H4M32LFB5-6 AT:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,922
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,698
MT46H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,028
MT46H4M32LFB5-6:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,986
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음5,184
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음8,748
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음2,826
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음22,392
MT46H64M16LFBF-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)	재고 있음46,930

MT46H32M32LFCM-5:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음2,412

MT46H32M32LFCM-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음5,940

MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음6,372

MT46H32M32LFCM-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음4,482

MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음6,156

MT46H32M32LFCM-6 L IT:A

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IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음4,734

MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음8,424

MT46H32M32LFJG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,598

MT46H32M32LFJG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,556

MT46H32M32LFJG-6:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음7,290

MT46H32M32LFJG-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음8,910

MT46H32M32LFJG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음7,884

MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음4,068

MT46H32M32LFMA-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,997

MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,328

MT46H32M32LFMA-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,472

MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음3,384

MT46H32M32LFT68MWC2

Micron Technology Inc.

기억

MOBILE DDR 1G DIE 32MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

MT46H4M32LFB5-5 IT:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,794

MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,154

MT46H4M32LFB5-5:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,352

MT46H4M32LFB5-6 AT:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,922

MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,698

MT46H4M32LFB5-6 IT:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,028

MT46H4M32LFB5-6:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,986

MT46H64M16LFBF-5 AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음5,184

MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음8,748

MT46H64M16LFBF-5 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음2,826

MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음22,392

MT46H64M16LFBF-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)

재고 있음46,930

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