Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 1145/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음3,420
MT46H64M16LFBF-6 IT:B
MT46H64M16LFBF-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음5,634
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음8,982
MT46H64M16LFCK-5:A TR
MT46H64M16LFCK-5:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음6,408
MT46H64M16LFCK-5 IT:A
MT46H64M16LFCK-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음8,010
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음8,514
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음6,444
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음7,848
MT46H64M16LFCK-6:A TR
MT46H64M16LFCK-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음8,262
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (10x11.5)
재고 있음5,796
MT46H64M16LFT68MWC2
MT46H64M16LFT68MWC2

Micron Technology Inc.

기억

MOBILE DDR 1G DIE 64MX16

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,762
MT46H64M32L2CG-5 IT:A
MT46H64M32L2CG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)
재고 있음8,784
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)
재고 있음3,870
MT46H64M32L2CG-6 IT:A
MT46H64M32L2CG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)
재고 있음8,316
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-VFBGA (14x14)
재고 있음3,960
MT46H64M32L2JG-5:A
MT46H64M32L2JG-5:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음8,064
MT46H64M32L2JG-5:A TR
MT46H64M32L2JG-5:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음2,664
MT46H64M32L2JG-5 IT:A
MT46H64M32L2JG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음4,554
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음3,204
MT46H64M32L2JG-6:A
MT46H64M32L2JG-6:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음7,164
MT46H64M32L2JG-6:A TR
MT46H64M32L2JG-6:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음8,622
MT46H64M32L2JG-6 IT:A
MT46H64M32L2JG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음7,110
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음2,826
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음5,454
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음12,738
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음2,988
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음2,538
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음7,326
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)
재고 있음3,744
MT46H64M32LFCM-5 IT:A
MT46H64M32LFCM-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)
재고 있음8,082