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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
MT46H16M32LFT67M-N1003
MT46H16M32LFT67M-N1003

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM MOBILE DDR 512M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,600
MT46H1DAMA-DC
MT46H1DAMA-DC

Micron Technology Inc.

기억

IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,240
MT46H1DBB5-DC
MT46H1DBB5-DC

Micron Technology Inc.

기억

IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,832
MT46H256M32L4JV-5 IT:A
MT46H256M32L4JV-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음6,372
MT46H256M32L4JV-5 IT:B
MT46H256M32L4JV-5 IT:B

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기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음6,030
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

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기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음2,214
MT46H256M32L4JV-5 WT:B
MT46H256M32L4JV-5 WT:B

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IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음4,752
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음6,156
MT46H256M32L4JV-6 IT:A
MT46H256M32L4JV-6 IT:A

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기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음8,982
MT46H256M32L4JV-6 WT:B
MT46H256M32L4JV-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음5,922
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음6,408
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
MT46H256M32L4LE-48 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-TFBGA (12x12)
재고 있음3,456
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-TFBGA (12x12)
재고 있음2,538
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
MT46H256M32L4SA-48 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-TFBGA (12x12)
재고 있음955
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-TFBGA (12x12)
재고 있음5,652
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
MT46H256M32R4JV-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음7,110
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음3,978
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
MT46H256M32R4JV-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음6,084
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)
재고 있음4,032
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음3,114
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음21,204
MT46H32M16LFBF-5:B TR
MT46H32M16LFBF-5:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음4,338
MT46H32M16LFBF-5 IT:B
MT46H32M16LFBF-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음5,076
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음3,562
MT46H32M16LFBF-5 IT:C
MT46H32M16LFBF-5 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음156,270
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음7,308
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음2,736
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
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MT46H32M16LFBF-6 AIT:C
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
재고 있음6,282
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-VFBGA (8x9)
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