메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT46H64M32LFCM-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음8,622
MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)	재고 있음2,232
MT46H64M32LFCX-48 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음8,568
MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음3,492
MT46H64M32LFCX-48 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음2,070
MT46H64M32LFCX-48 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 208MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음6,498
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음6,426
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음5,886
MT46H64M32LFCX-5 AT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음7,290
MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음6,228
MT46H64M32LFCX-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음3,456
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음6,318
MT46H64M32LFCX-5 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음6,552
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음3,580
MT46H64M32LFCX-6 AT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음5,274
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음3,942
MT46H64M32LFCX-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음5,652
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음2,448
MT46H64M32LFCX-6 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음5,274
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)	재고 있음3,780
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,994
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,272
MT46H64M32LFMA-5 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음3,384
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,110
MT46H64M32LFMA-5 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,632
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,778
MT46H64M32LFMA-5 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음4,590
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음4,518
MT46H64M32LFMA-6 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,922
MT46H64M32LFMA-6 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.0ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,466

MT46H64M32LFCM-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음8,622

MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)

재고 있음2,232

MT46H64M32LFCX-48 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음8,568

MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음3,492

MT46H64M32LFCX-48 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음2,070

MT46H64M32LFCX-48 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 208MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음6,498

MT46H64M32LFCX-5 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음6,426

MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음5,886

MT46H64M32LFCX-5 AT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음7,290

MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음6,228

MT46H64M32LFCX-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음3,456

MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음6,318

MT46H64M32LFCX-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음6,552

MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음3,580

MT46H64M32LFCX-6 AT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음5,274

MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음3,942

MT46H64M32LFCX-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음5,652

MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음2,448

MT46H64M32LFCX-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음5,274

MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)

재고 있음3,780

MT46H64M32LFKQ-5 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,994

MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,272

MT46H64M32LFMA-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음3,384

MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,110

MT46H64M32LFMA-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,632

MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,778

MT46H64M32LFMA-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음4,590

MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음4,518

MT46H64M32LFMA-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,922

MT46H64M32LFMA-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.0ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,466

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