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메모리 IC

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설명
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MT46H64M32LFCM-6 IT:A
MT46H64M32LFCM-6 IT:A

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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)
재고 있음8,622
MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (10x13)
재고 있음2,232
MT46H64M32LFCX-48 IT:B
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음8,568
MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음3,492
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음2,070
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 208MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14.4ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음6,498
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음6,426
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음5,886
MT46H64M32LFCX-5 AT:B
MT46H64M32LFCX-5 AT:B

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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음7,290
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음6,228
MT46H64M32LFCX-5 IT:B
MT46H64M32LFCX-5 IT:B

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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음3,456
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음6,318
MT46H64M32LFCX-5 WT:B
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음6,552
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음3,580
MT46H64M32LFCX-6 AT:B
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음5,274
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR
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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음3,942
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
MT46H64M32LFCX-6 IT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음5,652
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음2,448
MT46H64M32LFCX-6 WT:B
MT46H64M32LFCX-6 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음5,274
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (9x13)
재고 있음3,780
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 167MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음5,994
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음7,272
MT46H64M32LFMA-5 IT:A
MT46H64M32LFMA-5 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음3,384
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음7,110
MT46H64M32LFMA-5 IT:B
MT46H64M32LFMA-5 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음7,632
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR

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기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음5,778
MT46H64M32LFMA-5 WT:B
MT46H64M32LFMA-5 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음4,590
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음4,518
MT46H64M32LFMA-6 IT:A
MT46H64M32LFMA-6 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음5,922
MT46H64M32LFMA-6 IT:B
MT46H64M32LFMA-6 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.0ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음2,466