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메모리 IC

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부품 번호
설명
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수량
MT44K64M18RB-107E:A
MT44K64M18RB-107E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)
재고 있음2,643
MT44K64M18RB-107E:A TR
MT44K64M18RB-107E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)
재고 있음6,894
MT44K64M18RB-107E IT:A
MT44K64M18RB-107E IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)
재고 있음7,938
MT44K64M18RB-107E IT:A TR
MT44K64M18RB-107E IT:A TR

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IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM
  • 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)
재고 있음7,200
MT44K64M18RCT-125:A TR
MT44K64M18RCT-125:A TR

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IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,768
MT44K64M18RCT-125E:A TR
MT44K64M18RCT-125E:A TR

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IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,856
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

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IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음2,430
MT45V256KW16PEGA-70 WT TR
MT45V256KW16PEGA-70 WT TR

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IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음6,588
MT45V512KW16PEGA-55 WT TR
MT45V512KW16PEGA-55 WT TR

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IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음4,356
MT45V512KW16PEGA-70 WT TR
MT45V512KW16PEGA-70 WT TR

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IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음2,610
MT45W1MW16BABB-706 WT TR
MT45W1MW16BABB-706 WT TR

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기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음7,542
MT45W1MW16BAFB-706 WT
MT45W1MW16BAFB-706 WT

Micron Technology Inc.

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IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음8,424
MT45W1MW16BAFB-706 WT TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음2,070
MT45W1MW16BAFB-708 WT
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IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음7,758
MT45W1MW16BAFB-708 WT TR
MT45W1MW16BAFB-708 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음8,802
MT45W1MW16BAFB-856 WT
MT45W1MW16BAFB-856 WT

Micron Technology Inc.

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IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음5,778
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

Micron Technology Inc.

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IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x9)
재고 있음3,598
MT45W1MW16BDGB-701 IT
MT45W1MW16BDGB-701 IT

Micron Technology Inc.

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IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음6,516
MT45W1MW16BDGB-701 IT TR
MT45W1MW16BDGB-701 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음8,676
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음7,110
MT45W1MW16BDGB-708 AT
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기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음7,650
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음6,390
MT45W1MW16BDGB-708 WT TR
MT45W1MW16BDGB-708 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (6x8)
재고 있음5,886
MT45W1MW16PABA-70 WT
MT45W1MW16PABA-70 WT

Micron Technology Inc.

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IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음7,956
MT45W1MW16PABA-70 WT TR
MT45W1MW16PABA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음3,204
MT45W1MW16PAFA-70 WT
MT45W1MW16PAFA-70 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음5,634
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음8,316
MT45W1MW16PAFA-85 WT
MT45W1MW16PAFA-85 WT

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음5,148
MT45W1MW16PAFA-85 WT TR
MT45W1MW16PAFA-85 WT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음8,586
MT45W1MW16PDGA-70 IT
MT45W1MW16PDGA-70 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: PSRAM
  • 기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)
재고 있음6,300