메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT42L64M64D2KH-3 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음6,462
MT42L64M64D2LL-18 IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음6,138
MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음5,130
MT42L64M64D2LL-18 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음4,374
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음4,644
MT42L64M64D2MC-3 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 240-WFBGA 공급자 장치 패키지: 240-FBGA (14x14)	재고 있음7,002
MT42L64M64D2MP-25 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 220FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (64M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 220-WFBGA 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)	재고 있음6,822
MT43A4G40200NFA-S15:A Micron Technology Inc.	기억 HMC 16G NANA HBBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	견적 요청
MT43A4G40200NFA-S15 ES:A Micron Technology Inc.	기억 HMC 4GX4 PLASTIC GREEN BGA 2GB 1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,907
MT43A4G80200NFH-S15:A Micron Technology Inc.	기억 HMC 32G NANA HBBGA 8DP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,622
MT43A4G80200NFH-S15 ES:A Micron Technology Inc.	기억 HMC 4GX8 PLASTIC GREEN BGA 4GB 1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,554
MT44K16M36RB-093:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,428
MT44K16M36RB-093:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,400
MT44K16M36RB-093E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,660
MT44K16M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,618
MT44K16M36RB-093E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음691
MT44K16M36RB-093E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,100
MT44K16M36RB-093E IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,912
MT44K16M36RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,398
MT44K16M36RB-093E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음1,980
MT44K16M36RB-093E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,664
MT44K16M36RB-093F:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음147
MT44K16M36RB-093F:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,892
MT44K16M36RB-093 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,300
MT44K16M36RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,482
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,802
MT44K16M36RB-107:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,012
MT44K16M36RB-107E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,136
MT44K16M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,964
MT44K16M36RB-107E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음411

MT42L64M64D2KH-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음6,462

MT42L64M64D2LL-18 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음6,138

MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음5,130

MT42L64M64D2LL-18 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음4,374

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음4,644

MT42L64M64D2MC-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 240-WFBGA
공급자 장치 패키지: 240-FBGA (14x14)

재고 있음7,002

MT42L64M64D2MP-25 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 220FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 220-WFBGA
공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)

재고 있음6,822

MT43A4G40200NFA-S15:A

Micron Technology Inc.

기억

HMC 16G NANA HBBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

견적 요청

MT43A4G40200NFA-S15 ES:A

Micron Technology Inc.

기억

HMC 4GX4 PLASTIC GREEN BGA 2GB 1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,907

MT43A4G80200NFH-S15:A

Micron Technology Inc.

기억

HMC 32G NANA HBBGA 8DP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,622

MT43A4G80200NFH-S15 ES:A

Micron Technology Inc.

기억

HMC 4GX8 PLASTIC GREEN BGA 4GB 1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,554

MT44K16M36RB-093:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,428

MT44K16M36RB-093:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,400

MT44K16M36RB-093E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,660

MT44K16M36RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,618

MT44K16M36RB-093E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음691

MT44K16M36RB-093E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,100

MT44K16M36RB-093E IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,912

MT44K16M36RB-093E IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,398

MT44K16M36RB-093E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음1,980

MT44K16M36RB-093E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,664

MT44K16M36RB-093F:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음147

MT44K16M36RB-093F:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,892

MT44K16M36RB-093 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,300

MT44K16M36RB-093 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,482

MT44K16M36RB-107:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,802

MT44K16M36RB-107:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,012

MT44K16M36RB-107E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,136

MT44K16M36RB-107E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,964

MT44K16M36RB-107E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음411

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