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메모리 IC

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설명
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MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR
MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음3,672
MT42L256M64D4LD-25 WT:A
MT42L256M64D4LD-25 WT:A

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IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음8,622
MT42L256M64D4LD-25 WT:A TR
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IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음5,922
MT42L256M64D4LM-18 WT:A
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IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음3,348
MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR
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IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음8,532
MT42L256M64D4LM-25 WT:A
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IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음2,088
MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR
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IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음7,146
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 121-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 121-FBGA (6.5x8)
재고 있음3,456
MT42L32M16D1AB-3 WT:A
MT42L32M16D1AB-3 WT:A

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IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 121-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 121-FBGA (6.5x8)
재고 있음3,708
MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 121-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 121-FBGA (6.5x8)
재고 있음7,812
MT42L32M16D1FE-25 IT:A
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IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 121-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 121-FBGA (6.5x8)
재고 있음3,168
MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 121-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 121-FBGA (6.5x8)
재고 있음5,436
MT42L32M16D1U67MWC1
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LPDDR2

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,554
MT42L32M16D1U67MWC2
MT42L32M16D1U67MWC2

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LPDDR2

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,334
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A
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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음2,538
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음5,040
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A
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IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음8,514
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음2,772
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음3,474
MT42L384M32D3LP-18 WT:A
MT42L384M32D3LP-18 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,956
MT42L384M32D3LP-25 WT:A
MT42L384M32D3LP-25 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G PARALLEL 400MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,250
MT42L64M32D1KL-25 IT:A
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음6,284
MT42L64M32D1KL-3 IT:A
MT42L64M32D1KL-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음4,590
MT42L64M32D1LF-18 IT:C
MT42L64M32D1LF-18 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음2,178
MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR
MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음2,592
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음6,894
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음3,114
MT42L64M32D1TK-18 IT:C
MT42L64M32D1TK-18 IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음5,202
MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR
MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음4,464
MT42L64M64D2KH-25 IT:A
MT42L64M64D2KH-25 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 4Gb (64M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음7,956