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메모리 IC

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부품 번호
설명
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MT42L128M64D4KJ-3 IT:A
MT42L128M64D4KJ-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음5,940
MT42L128M64D4LC-25 IT:A
MT42L128M64D4LC-25 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 240-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 240-FBGA (14x14)
재고 있음5,994
MT42L128M64D4LC-3 IT:A
MT42L128M64D4LC-3 IT:A

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IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 240-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 240-FBGA (14x14)
재고 있음7,200
MT42L128M64D4LD-25 IT:A
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IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음4,932
MT42L128M64D4LD-3 IT:A
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IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음6,912
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A
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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음6,984
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음3,834
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A
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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음2,232
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A
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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음2,214
MT42L16M32D1AC-25 IT:A
MT42L16M32D1AC-25 IT:A

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)
재고 있음6,750
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음7,812
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A
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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)
재고 있음5,670
MT42L16M32D1U67MWC2
MT42L16M32D1U67MWC2

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기억

IC LPDDR2 SDRAM 1GBIT

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,436
MT42L192M32D3LE-3 IT:A
MT42L192M32D3LE-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 6G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 6Gb (192M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음8,370
MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)
재고 있음5,508
MT42L256M32D2LG-25 WT:A
MT42L256M32D2LG-25 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음3,186
MT42L256M32D2LG-25 WT:A TR
MT42L256M32D2LG-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음6,102
MT42L256M32D2LK-18 WT:A
MT42L256M32D2LK-18 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음2,178
MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR
MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음2,430
MT42L256M32D2LK-25 WT:A
MT42L256M32D2LK-25 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음6,588
MT42L256M32D2LK-25 WT:A TR
MT42L256M32D2LK-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 216-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)
재고 있음5,364
MT42L256M32D4KP-25 IT:A
MT42L256M32D4KP-25 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음5,418
MT42L256M32D4KP-3 IT:A
MT42L256M32D4KP-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 168-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)
재고 있음7,884
MT42L256M32D4MG-25 IT:A
MT42L256M32D4MG-25 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음6,030
MT42L256M32D4MG-3 IT:A
MT42L256M32D4MG-3 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 134FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 134-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (11.5x11.5)
재고 있음2,736
MT42L256M64D4EV-18 WT:A
MT42L256M64D4EV-18 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 253-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)
재고 있음3,852
MT42L256M64D4EV-18 WT:A TR
MT42L256M64D4EV-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 253-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)
재고 있음8,964
MT42L256M64D4EV-25 WT:A
MT42L256M64D4EV-25 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 253-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)
재고 있음2,772
MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR
MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 253FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 253-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)
재고 있음2,430
MT42L256M64D4LD-18 WT:A
MT42L256M64D4LD-18 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.3V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 220-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 220-FBGA (14x14)
재고 있음5,652