메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT44K16M36RB-107E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,240
MT44K16M36RB-107E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,498
MT44K16M36RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,100
MT44K16M36RB-125:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,848
MT44K16M36RB-125:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,502
MT44K16M36RB-125E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,960
MT44K16M36RB-125E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,358
MT44K16M36RB-125F:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,780
MT44K16M36RB-125F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,928
MT44K32M18RB-093:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,064
MT44K32M18RB-093:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,894
MT44K32M18RB-093E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,456
MT44K32M18RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,236
MT44K32M18RB-093E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,734
MT44K32M18RB-093E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,416
MT44K32M18RB-093E IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음831
MT44K32M18RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,192
MT44K32M18RB-093F:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,616
MT44K32M18RB-093F:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,758
MT44K32M18RB-093 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,592
MT44K32M18RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,182
MT44K32M18RB-107:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,330
MT44K32M18RB-107:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,056
MT44K32M18RB-107E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,544
MT44K32M18RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,248
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,287
MT44K32M18RB-107E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,322
MT44K32M18RB-107E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,464
MT44K32M18RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,254
MT44K32M18RB-125:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,550

MT44K16M36RB-107E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,240

MT44K16M36RB-107E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,498

MT44K16M36RB-107E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,100

MT44K16M36RB-125:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,848

MT44K16M36RB-125:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,502

MT44K16M36RB-125E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,960

MT44K16M36RB-125E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,358

MT44K16M36RB-125F:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,780

MT44K16M36RB-125F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,928

MT44K32M18RB-093:A

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,064

MT44K32M18RB-093:A TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,894

MT44K32M18RB-093E:A

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,456

MT44K32M18RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,236

MT44K32M18RB-093E:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,734

MT44K32M18RB-093E:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,416

MT44K32M18RB-093E IT:A

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음831

MT44K32M18RB-093E IT:A TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,192

MT44K32M18RB-093F:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,616

MT44K32M18RB-093F:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,758

MT44K32M18RB-093 IT:A

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,592

MT44K32M18RB-093 IT:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,182

MT44K32M18RB-107:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,330

MT44K32M18RB-107:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,056

MT44K32M18RB-107E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,544

MT44K32M18RB-107E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,248

MT44K32M18RB-107E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,287

MT44K32M18RB-107E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,322

MT44K32M18RB-107E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,464

MT44K32M18RB-107E IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,254

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IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

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