메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT44K32M18RB-125:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,236
MT44K32M18RB-125E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,480
MT44K32M18RB-125E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,520
MT44K32M18RB-125E IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,866
MT44K32M18RB-125E IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,542
MT44K32M18RB-125F:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,556
MT44K32M18RB-125F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,550
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음5,832
MT44K32M36RB-083E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음3,870
MT44K32M36RB-083F:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.67ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음3,006
MT44K32M36RB-083F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.67ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,964
MT44K32M36RB-093E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음3,237
MT44K32M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,982
MT44K32M36RB-093F:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음2,376
MT44K32M36RB-093F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,532
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음8,890
MT44K32M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음5,940
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음6,552
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA	재고 있음5,976
MT44K32M36RCT-125:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,704
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,068
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
MT44K64M18RB-083E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,816
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,330
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.67ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,374
MT44K64M18RB-083F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.67ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,568
MT44K64M18RB-093E:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,304
MT44K64M18RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,336
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology Inc.	기억 RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,892
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-TBGA 공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,754

MT44K32M18RB-125:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,236

MT44K32M18RB-125E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,480

MT44K32M18RB-125E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,520

MT44K32M18RB-125E IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,866

MT44K32M18RB-125E IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,542

MT44K32M18RB-125F:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,556

MT44K32M18RB-125F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,550

MT44K32M36RB-083E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음5,832

MT44K32M36RB-083E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음3,870

MT44K32M36RB-083F:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.67ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음3,006

MT44K32M36RB-083F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.67ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,964

MT44K32M36RB-093E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음3,237

MT44K32M36RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,982

MT44K32M36RB-093F:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음2,376

MT44K32M36RB-093F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,532

MT44K32M36RB-107E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음8,890

MT44K32M36RB-107E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음5,940

MT44K32M36RB-107E IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음6,552

MT44K32M36RB-107E IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA

재고 있음5,976

MT44K32M36RCT-125:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,704

MT44K32M36RCT-125E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,068

MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (32Mb x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,916

MT44K64M18RB-083E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,816

MT44K64M18RB-083E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,330

MT44K64M18RB-083F:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.67ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,374

MT44K64M18RB-083F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.67ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,568

MT44K64M18RB-093E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,304

MT44K64M18RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,336

MT44K64M18RB-093F:A

Micron Technology Inc.

기억

RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,892

MT44K64M18RB-093F:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-TBGA
공급자 장치 패키지: 168-BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,754

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