트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF21085LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 19W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,392
MRF24300GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.45GHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: 32V 패키지 / 케이스: OM-780-2G 공급자 장치 패키지: OM-780-2 Gull	재고 있음2,646
MRF24300NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANS 2450MHZ 300 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 13.1dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음5,220
MRF24301HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 250W AF17 2450MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,409
MRF24301HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 250W AF17 2450MHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,120
MRF275G M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source 주파수: 500MHz 이득: 11.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 26A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 375-04 공급자 장치 패키지: 375-04, Style 2	재고 있음87
MRF281SR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 25mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-200S 공급자 장치 패키지: NI-200S	재고 있음7,038
MRF281ZR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 25mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-200Z 공급자 장치 패키지: NI-200Z	재고 있음5,688
MRF282SR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2GHZ NI-200S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 75mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-200S 공급자 장치 패키지: NI-200S	재고 있음4,770
MRF282ZR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2GHZ NI-200Z 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 75mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-200Z 공급자 장치 패키지: NI-200Z	재고 있음3,508
MRF300AN NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 50V TO247 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 27MHz ~ 250MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,428
MRF300BN NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 50V TO247 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 27MHz ~ 250MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,744
MRF372R3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 17A 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 180W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음7,992
MRF372R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 17A 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 180W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음5,706
MRF373ALR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 860MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음8,082
MRF373ALR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 860MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음7,146
MRF373ALSR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 860MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음6,732
MRF373ALSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 860MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음8,226
MRF374A NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 863MHZ NI-650 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 130W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-650 공급자 장치 패키지: NI-650	재고 있음6,930
MRF377HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 860MHZ NI-860C 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 17A 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음3,598
MRF377HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 860MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음2,880
MRF5P20180HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 38W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음2,736
MRF5P20180HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 38W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음2,340
MRF5P21045NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음3,618
MRF5P21180HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 38W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음3,582
MRF5P21180HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.16GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 38W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,686
MRF5P21240HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.2A 전원-출력: 52W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,148
MRF5P21240HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.2A 전원-출력: 52W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,740
MRF5S18060NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 1.88GHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.88GHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 60W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음6,408
MRF5S18060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 1.88GHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.88GHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 60W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음2,016

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