트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRFE6S8046GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 19.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 35.5W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음2,430
MRFE6S8046NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 894MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 19.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 35.5W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음6,714
MRFE6S9045GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 22.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음5,130
MRFE6S9045NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 22.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음4,626
MRFE6S9046GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 35.5W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음6,696
MRFE6S9046NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 35.5W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음3,726
MRFE6S9060GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF N-CH 1000MHZ TO270-2GN 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음7,560
MRFE6S9060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 14W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음4,140
MRFE6S9125NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음2,718
MRFE6S9125NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음4,464
MRFE6S9130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,434
MRFE6S9130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,248
MRFE6S9130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,236
MRFE6S9130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 27W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,290
MRFE6S9135HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 940MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 39W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음6,210
MRFE6S9135HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 940MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 39W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,348
MRFE6S9135HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 940MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 39W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음7,056
MRFE6S9135HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 940MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 39W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음4,716
MRFE6S9160HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,740
MRFE6S9160HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,790
MRFE6S9160HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,726
MRFE6S9160HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,788
MRFE6S9200HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,654
MRFE6S9200HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음3,096
MRFE6S9200HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,388
MRFE6S9200HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음8,838
MRFE6S9201HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 40W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,490
MRFE6S9201HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 40W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,336
MRFE6S9201HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 40W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,930
MRFE6S9201HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 40W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,520

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