트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRFE6S9205HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음7,002
MRFE6S9205HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음6,246
MRFE6S9205HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음6,102
MRFE6S9205HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 21.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음4,050
MRFE6VP100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음3,454
MRFE6VP100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 26dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음7,542
MRFE6VP5150GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.1dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음5,112
MRFE6VP5150NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.1dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음4,158
MRFE6VP5300GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음4,896
MRFE6VP5300NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 27dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음5,724
MRFE6VP5600HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230-4H 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음2,322
MRFE6VP5600HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230-4H 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음2,075
MRFE6VP5600HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음7,614
MRFE6VP5600HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음2,880
MRFE6VP61K25GNR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 1250W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM-1230G-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230G-4L	재고 있음3,528
MRFE6VP61K25GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230S-4 GW 공급자 장치 패키지: NI-1230S-4 GULL	재고 있음2,124
MRFE6VP61K25HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음4,266
MRFE6VP61K25HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,760
MRFE6VP61K25HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음3,798
MRFE6VP61K25HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음5,796
MRFE6VP61K25NR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 1250W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1250W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM-1230-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L	재고 있음7,902
MRFE6VP6300GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 50V 600MHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 600MHz 이득: 25dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 300W 전압-정격: 50V 패키지 / 케이스: NI-780GS-4L 공급자 장치 패키지: NI-780GS-4L	재고 있음6,606
MRFE6VP6300HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음5,994
MRFE6VP6300HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음16,308
MRFE6VP6300HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음7,452
MRFE6VP6300HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 26.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음5,184
MRFE6VP6600GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 600W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM-780G-4L 공급자 장치 패키지: OM-780G-4L	재고 있음4,266
MRFE6VP6600NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 600W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 230MHz 이득: 24.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: OM780-4 공급자 장치 패키지: OM780-4	재고 있음792
MRFE6VP8600HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 125W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음537
MRFE6VP8600HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 125W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,706

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