트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRFE6VP8600HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 125W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음3,816
MRFE6VP8600HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 860MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 125W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음6,480
MRFE6VS25GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음8,622
MRFE6VS25LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ NI360L 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음5,075
MRFE6VS25NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 133V 512MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 512MHz 이득: 25.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 133V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음14,076
MRFE8VP8600HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH 600W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,600
MRFE8VP8600HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 860MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 20µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 140W 전압-정격: 115V 패키지 / 케이스: NI-1230-4S 공급자 장치 패키지: NI-1230-4S	재고 있음8,982
MRFG35002N6AT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 65mA 전원-출력: 158mW 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,284
MRFG35002N6R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 65mA 전원-출력: 1.5W 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,500
MRFG35002N6T1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 65mA 전원-출력: 1.5W 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음8,442
MRFG35003ANR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10.8dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,842
MRFG35003ANT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10.8dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음8,622
MRFG35003M6R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 9dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음5,904
MRFG35003M6T1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 9dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음7,578
MRFG35003MT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,464
MRFG35003N6AT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 450mW 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음8,208
MRFG35003N6T1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 9dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음975
MRFG35003NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음7,848
MRFG35003NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음7,218
MRFG35005ANT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 4.5W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음2,124
MRFG35005MR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 4.5W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음5,040
MRFG35005MT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 4.5W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음4,176
MRFG35005NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 4.5W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음5,832
MRFG35005NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 80mA 전원-출력: 4.5W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음6,444
MRFG35010 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 130mA 전원-출력: 9W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음7,038
MRFG35010ANR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 130mA 전원-출력: 1W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음8,532
MRFG35010ANT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 130mA 전원-출력: 9W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음7,812
MRFG35010AR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 140mA 전원-출력: 1W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음3,186
MRFG35010AR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 140mA 전원-출력: 1W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음4,302
MRFG35010MT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 9W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음2,754

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