트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRFG35010NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 9W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음3,942
MRFG35010NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 9W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음8,622
MRFG35010R1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음8,586
MRFG35010R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360HF 공급자 장치 패키지: NI-360HF	재고 있음2,988
MRFG35020AR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.5GHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.5GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음8,208
MRFG35020AR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.5GHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.5GHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 20W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음2,160
MRFG35030R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 3.55GHZ HF-600 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 3.55GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 12V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 650mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: HF-600 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,262
MRFX035HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 512MHz 이득: 24.8dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 15mA 전원-출력: 35W 전압-정격: 179V 패키지 / 케이스: NI-360H-2SB 공급자 장치 패키지: NI-360H-2SB	재고 있음4,158
MRFX1K80GNR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 470MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1800W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: OM-1230G-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230G-4L	재고 있음6,714
MRFX1K80HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 470MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 1800W 전압-정격: 182V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음3,240
MRFX1K80NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 600MHZ 1.8KW OM1230-4L 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.8MHz ~ 470MHz 이득: 24dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1800W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: OM-1230-4L 공급자 장치 패키지: OM-1230-4L	재고 있음3,780
MRFX600GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 400MHz 이득: 26.4dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 179V 패키지 / 케이스: NI-780GS-4L 공급자 장치 패키지: NI-780GS-4L	재고 있음6,264
MRFX600HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 400MHz 이득: 26.4dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 179V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음3,888
MRFX600HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 400MHz 이득: 26.4dB 전압-테스트: 65V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 179V 패키지 / 케이스: NI-780S-4L 공급자 장치 패키지: NI-780S-4L	재고 있음4,590
MW6S004NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음18,276
MW6S010GMR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음3,438
MW6S010GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음5,976
MW6S010MR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음2,610
MW6S010NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 960MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 125mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음14,736
MW7IC2020NT1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 32.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 2.4W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 24-PowerQFN 공급자 장치 패키지: 24-PQFN (8x8)	재고 있음12,162
MW7IC2425NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 27.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 55mA 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272-16 Variant, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-16	재고 있음6,930
MWT-173 Microwave Technology Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 12GHZ PKG 73 제조업체: Microwave Technology Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET 주파수: 100MHz ~ 12GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 240mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 240mA 전원-출력: 300mW 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: Nonstandard SMD 공급자 장치 패키지: 73	재고 있음18,648
MWT-1789SB Microwave Technology Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89 제조업체: Microwave Technology Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET 주파수: 500MHz ~ 4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 6.5V 전류 정격 (Amps): 440mA 소음 수치: 1.3dB 현재-테스트: 440mA 전원-출력: 28dbm 전압-정격: 6.5V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,554
MWT-773 Microwave Technology Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 26GHZ PKG 73 제조업체: Microwave Technology Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET 주파수: 500MHz ~ 26GHz 이득: 8dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 98mA 소음 수치: 12dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 20dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: Nonstandard SMD 공급자 장치 패키지: 73	재고 있음6,246
MWT-A973 Microwave Technology Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 18GHZ PKG 73 제조업체: Microwave Technology Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET 주파수: 500MHz ~ 18GHz 이득: 6.5dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 1.8dB 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 24.5dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: Nonstandard SMD 공급자 장치 패키지: 73	재고 있음3,942
NE25139-T1 CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 13V 900MHZ SOT-143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate 주파수: 900MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 13V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음6,606
NE25139-T1-U73 CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 13V 900MHZ SOT-143 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate 주파수: 900MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 1.1dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 13V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음2,088
NE3210S01 CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ S01 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: SMD	재고 있음2,430
NE3210S01-T1B CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ S01 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: SMD	재고 있음6,372
NE34018-64-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: 12dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음7,398

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