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1SV308(TH3,F)

1SV308(TH3,F)

참조 용

부품 번호 1SV308(TH3,F)
PNEDA 부품 번호 1SV308-TH3-F
설명 RF DIODE PIN 30V ESC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $0.1596
500 ---------- $0.1521
1,000 ---------- $0.1447
2,500 ---------- $0.1372
5,000 ---------- $0.1309
10,000 ---------- $0.1247
재고 있음 179,832
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1SV308(TH3 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV308(TH3,F)
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
1SV308(TH3, 1SV308(TH3 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 199.22 KB)
PDF1SV308(TH3 데이터 시트 표지
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  • Datasheet 1SV308(TH3,F)
  • 1SV308(TH3,F) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 1SV308(TH3,F) Price
  • 1SV308(TH3,F) Distributor

1SV308(TH3 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지ESC

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현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

250mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 100V, 100MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

8W

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

60Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Broadcom Limited

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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