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2N4117A-E3

2N4117A-E3

참조 용

부품 번호 2N4117A-E3
PNEDA 부품 번호 2N4117A-E3
설명 MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
제조업체 Vishay Siliconix
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2N4117A-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4117A-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4117A-E3, 2N4117A-E3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 68.78 KB)
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  • 2N4117A-E3 Distributor

2N4117A-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AF (TO-72)

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

3 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AC (TO-52)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.3V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

125mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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