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2N5770

2N5770

참조 용

부품 번호 2N5770
PNEDA 부품 번호 2N5770
설명 RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 37,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5770 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5770
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
2N5770, 2N5770 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 129.86 KB)
PDF2N5770 데이터 시트 표지
2N5770 데이터 시트 페이지 2

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2N5770 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
이득-
전력-최대625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 8mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

900MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 150mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-623F

공급자 장치 패키지

M03

AT-32032-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

13.5dB ~ 15dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

6dB ~ 12dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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