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2SD1768STPR

2SD1768STPR

참조 용

부품 번호 2SD1768STPR
PNEDA 부품 번호 2SD1768STPR
설명 TRANS NPN 80V 1A 3PIN SPT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SD1768STPR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SD1768STPR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SD1768STPR, 2SD1768STPR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 114.58 KB)
PDF2SD1768STPR 데이터 시트 표지
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2SD1768STPR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 3V
전력-최대300mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지SPT

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

CMPT3820 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

280mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

2N7051

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JAN2N5038

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/439

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

90V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1.2A, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 2A, 5V

전력-최대

140W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3 (TO-204AA)

MMBTA56LT1G-HFE

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

225mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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