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AFT23S160W02SR3

AFT23S160W02SR3

참조 용

부품 번호 AFT23S160W02SR3
PNEDA 부품 번호 AFT23S160W02SR3
설명 FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1,645.7542
50 ---------- $1,568.6095
100 ---------- $1,491.4648
200 ---------- $1,414.3201
400 ---------- $1,350.0328
500 ---------- $1,285.7455
재고 있음 647
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AFT23S160W02SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT23S160W02SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT23S160W02SR3, AFT23S160W02SR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 274.44 KB)
PDFAFT23S160W02GSR3 데이터 시트 표지
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AFT23S160W02SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.4GHz
이득17.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력45W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

20.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

275W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

21.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

1.26W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

BLP10H603AZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

22.8dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x4)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

1.93GHz

이득

17.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880XS

공급자 장치 패키지

NI-880XS

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

공급자 장치 패키지

SOT-426

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VLS252012HBX-2R2M-1

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TNY278PN

TNY278PN

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