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AO4803L

AO4803L

참조 용

부품 번호 AO4803L
PNEDA 부품 번호 AO4803L
설명 MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4803L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4803L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO4803L, AO4803L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 609.16 KB)
PDFAO4803L 데이터 시트 표지
AO4803L 데이터 시트 페이지 2 AO4803L 데이터 시트 페이지 3 AO4803L 데이터 시트 페이지 4 AO4803L 데이터 시트 페이지 5 AO4803L 데이터 시트 페이지 6

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  • AO4803L Distributor

AO4803L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs52mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds520pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

308nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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SP4

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EPC

제조업체

EPC

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

FDMA1023PZ-F106

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

655pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

FDS6892A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1333pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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