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AO6601

AO6601

참조 용

부품 번호 AO6601
PNEDA 부품 번호 AO6601
설명 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,010
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO6601 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO6601
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO6601, AO6601 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 477.14 KB)
PDFAO6601_001 데이터 시트 표지
AO6601_001 데이터 시트 페이지 2 AO6601_001 데이터 시트 페이지 3 AO6601_001 데이터 시트 페이지 4 AO6601_001 데이터 시트 페이지 5 AO6601_001 데이터 시트 페이지 6 AO6601_001 데이터 시트 페이지 7 AO6601_001 데이터 시트 페이지 8 AO6601_001 데이터 시트 페이지 9

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AO6601 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds285pF @ 15V
전력-최대1.15W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

505pF @ 20V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SOT-28FL/VEC8

NVMFD5C466NWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FMP76-01T

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc), 62A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

전력-최대

89W, 132W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

PMDXB600UNELZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010B-6

DMC3025LDV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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