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MP6K14TCR

MP6K14TCR

참조 용

부품 번호 MP6K14TCR
PNEDA 부품 번호 MP6K14TCR
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MP6K14TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MP6K14TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MP6K14TCR, MP6K14TCR 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 589.12 KB)
PDFMP6K14TCR 데이터 시트 표지
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MP6K14TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds470pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지MPT6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 15V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

BSO615N

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

FDG6303N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 25V

전력-최대

60W

작동 온도

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