AON6908ALS_101
참조 용
| 부품 번호 | AON6908ALS_101 |
| PNEDA 부품 번호 | AON6908ALS_101 |
| 설명 | MOSFET N-CH |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,312 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6908ALS_101 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6908ALS_101 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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AON6908ALS_101 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN-EP (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1730pF @ 6V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 153nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4530pF @ 25V 전력-최대 138W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 419pF @ 10V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 15V 전력-최대 3.6W, 4.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power33 (3x3) |
