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AON6912A

AON6912A

참조 용

부품 번호 AON6912A
PNEDA 부품 번호 AON6912A
설명 MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6912A 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6912A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6912A, AON6912A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 545.65 KB)
PDFAON6912A 데이터 시트 표지
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AON6912A 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A, 13.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs13.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds910pF @ 15V
전력-최대1.9W, 2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EFC2J017NUZTDG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP (1.77x3.05)

DMP3036SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1931pF @ 15V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EFC6617R-A-TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FDMS3D5N08LC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 136A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

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