AONX38168
참조 용
| 부품 번호 | AONX38168 |
| PNEDA 부품 번호 | AONX38168 |
| 설명 | 25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,076 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AONX38168 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AONX38168 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AONX38168 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | XSPairFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 24nC, 85nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1.15nF, 4.52nF @ 12.5V |
| 전력-최대 | 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A, 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 785pF @ 15V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.2pF @ 3V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
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