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BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BSL308CH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL308CH6327XTSA1
설명 MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 25,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL308CH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL308CH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL308CH6327XTSA1 Distributor

BSL308CH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A, 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds275pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

관심을 가질만한 제품

IRF7311PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTM50AM19STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

492nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

NVMFD5C446NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3170pF @ 25V

전력-최대

3.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

DMP2101UCB9-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ECH8652-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 6V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

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