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APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

참조 용

부품 번호 APT50GT60BRDQ2G
PNEDA 부품 번호 APT50GT60BRDQ2G
설명 IGBT 600V 110A 446W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT50GT60BRDQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT50GT60BRDQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT50GT60BRDQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)110A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
전력-최대446W
에너지 전환995µJ (on), 1070µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/240ns
테스트 조건400V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)22ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

전력-최대

167W

에너지 전환

450µJ (on), 390µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/160ns

테스트 조건

960V, 5A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGA180N33ATTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

전력-최대

390W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

169nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

HGTG18N120BN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

165A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

800µJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGL160N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

전력-최대

250W

에너지 전환

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

345nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/90ns

테스트 조건

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

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75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/190ns

테스트 조건

480V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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