APTC60DDAM70T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60DDAM70T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60DDAM70T3G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,564 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60DDAM70T3G 리소스
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APTC60DDAM70T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 39A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 340pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 P-DSO-8 |
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