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APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

참조 용

부품 번호 APTGT30DDA60T3G
PNEDA 부품 번호 APTGT30DDA60T3G
설명 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,334
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT30DDA60T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT30DDA60T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGT30DDA60T3G, APTGT30DDA60T3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 259.16 KB)
PDFAPTGT30DDA60T3G 데이터 시트 표지
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  • APTGT30DDA60T3G Distributor

APTGT30DDA60T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.6nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.35nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT200A602G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

VS-GB300AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

620A

전력-최대

2500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (5)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

IRG5U200HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

285A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

FZ3600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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