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APTGT750U60D4G

APTGT750U60D4G

참조 용

부품 번호 APTGT750U60D4G
PNEDA 부품 번호 APTGT750U60D4G
설명 IGBT 600V 1000A 2300W D4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,362
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT750U60D4G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT750U60D4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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APTGT750U60D4G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)1000A
전력-최대2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce49nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D4
공급자 장치 패키지D4

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

120mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

186nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

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작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FPF2C110BI07AS2

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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