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MIO1200-25E10

MIO1200-25E10

참조 용

부품 번호 MIO1200-25E10
PNEDA 부품 번호 MIO1200-25E10
설명 MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIO1200-25E10 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIO1200-25E10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MIO1200-25E10, MIO1200-25E10 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 292.43 KB)
PDFMIO1200-25E10 데이터 시트 표지
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MIO1200-25E10 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)1200A
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대)120mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce186nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E10
공급자 장치 패키지E10

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145A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.93nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

430W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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-

IGBT 유형

Trench Field Stop

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

184A

전력-최대

577W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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NTC 서미스터

No

작동 온도

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