APTM50DHM38G
참조 용
| 부품 번호 | APTM50DHM38G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM50DHM38G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,230 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 13 - 2월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM50DHM38G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM50DHM38G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM50DHM38G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 90A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 246nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11200pF @ 25V |
| 전력-최대 | 694W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 24V 전력-최대 1.29W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
