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BCR 196L3 E6327

BCR 196L3 E6327

참조 용

부품 번호 BCR 196L3 E6327
PNEDA 부품 번호 BCR-196L3-E6327
설명 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCR 196L3 E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR 196L3 E6327
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
BCR 196L3 E6327, BCR 196L3 E6327 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 266.35 KB)
PDFBCR 196T E6327 데이터 시트 표지
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BCR 196L3 E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환150MHz
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지PG-TSLP-3-4

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SOT-523F

DRA5115T0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

SMini3-F2-B

PDTA143TMB,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

180MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XFDFN

공급자 장치 패키지

DFN1006B-3

DTA013ZMT2L

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DTC123JU3T106

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased + Diode

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

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