BF1109WR,115
참조 용
| 부품 번호 | BF1109WR,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BF1109WR-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,466 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF1109WR 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF1109WR,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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BF1109WR 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Dual Gate |
| 주파수 | 800MHz |
| 이득 | 20dB |
| 전압-테스트 | 9V |
| 전류 정격 (Amps) | 30mA |
| 소음 수치 | 1.5dB |
| 현재-테스트 | - |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 11V |
| 패키지 / 케이스 | SC-82A, SOT-343 |
| 공급자 장치 패키지 | CMPAK-4 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 - 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1.7dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 18.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 6.3W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-780G-4L 공급자 장치 패키지 OM-780G-4L |
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