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BF1109WR,115

BF1109WR,115

참조 용

부품 번호 BF1109WR,115
PNEDA 부품 번호 BF1109WR-115
설명 MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,466
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1109WR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1109WR,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BF1109WR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수800MHz
이득20dB
전압-테스트9V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치1.5dB
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격11V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

50A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

400W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

AFM907NT1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

136MHz ~ 941MHz

이득

-

전압-테스트

10.8V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

8.4W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

SD56120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M246

공급자 장치 패키지

M246

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

BLF578XRS,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

225MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

1400W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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