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BG5120KH6327XTSA1

BG5120KH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG5120KH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG5120KH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG5120KH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG5120KH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG5120KH6327XTSA1, BG5120KH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 556.93 KB)
PDFBG5120KH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BG5120KH6327XTSA1 Distributor

BG5120KH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득23dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)20mA
소음 수치1.1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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현재-테스트

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전원-출력

-

전압-정격

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패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

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PTFA082201FV4XWSA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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전류 정격 (Amps)

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20mA

전원-출력

75W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

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4-HSOPF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

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이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

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150mA

전원-출력

330W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

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전압-정격

7V

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