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BLD6G21LS-50,112

BLD6G21LS-50,112

참조 용

부품 번호 BLD6G21LS-50,112
PNEDA 부품 번호 BLD6G21LS-50-112
설명 RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLD6G21LS-50 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLD6G21LS-50,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLD6G21LS-50, BLD6G21LS-50 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,030.17 KB)
PDFBLD6G21LS-50 데이터 시트 표지
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  • BLD6G21LS-50,112 Distributor

BLD6G21LS-50 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.02GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10.2A
소음 수치-
현재-테스트170mA
전원-출력8W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1130B
공급자 장치 패키지CDFM4

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M/A-Com Technology Solutions

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주파수

30MHz ~ 3.5GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

490mA

전원-출력

40dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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주파수

30MHz ~ 175MHz

이득

13dB ~ 22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

16A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

P-244

공급자 장치 패키지

P-244

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

512MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

465MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.25A

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

16.6dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

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