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BLF6G15LS-250PBRN,

BLF6G15LS-250PBRN,

참조 용

부품 번호 BLF6G15LS-250PBRN,
PNEDA 부품 번호 BLF6G15LS-250PBRN_E3
설명 RF FET 65V 18.5DB SOT1110B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G15LS-250PBRN 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G15LS-250PBRN,
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G15LS-250PBRN, BLF6G15LS-250PBRN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 970.11 KB)
PDFBLF6G15LS-250PBRN 데이터 시트 표지
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BLF6G15LS-250PBRN 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형-
주파수1.47GHz ~ 1.51GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)64A
소음 수치-
현재-테스트1.41A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1110B
공급자 장치 패키지LDMOST

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전원-출력

80W

전압-정격

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패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

29W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

LET20030C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

13.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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