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MMRF1017NR3

MMRF1017NR3

참조 용

부품 번호 MMRF1017NR3
PNEDA 부품 번호 MMRF1017NR3
설명 FET RF 65V 960MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1017NR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1017NR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1017NR3, MMRF1017NR3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 416.9 KB)
PDFMMRF1017NR3 데이터 시트 표지
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MMRF1017NR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력80W
전압-정격65V
패키지 / 케이스OM-780-2
공급자 장치 패키지OM-780-2

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS (Dual)

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230MHz

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50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

MAGX-001214-500L0S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

19.22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

18.1A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

500W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

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