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BLF7G27L-90P,112

BLF7G27L-90P,112

참조 용

부품 번호 BLF7G27L-90P,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G27L-90P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G27L-90P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G27L-90P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G27L-90P, BLF7G27L-90P 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,854.78 KB)
PDFBLF7G27LS-90P 데이터 시트 표지
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BLF7G27L-90P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.5GHz ~ 2.7GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)18A
소음 수치-
현재-테스트720mA
전원-출력16W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1121A
공급자 장치 패키지LDMOST

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이득

23dB

전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

1.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

PTFA260851F V1 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.68GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

85W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-31248-2

MRF282ZR1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-200Z

공급자 장치 패키지

NI-200Z

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz

이득

22dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

38.6dBm

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

79A

공급자 장치 패키지

79A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

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