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BLP10H605AZ

BLP10H605AZ

참조 용

부품 번호 BLP10H605AZ
PNEDA 부품 번호 BLP10H605AZ
설명 RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H605AZ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H605AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP10H605AZ, BLP10H605AZ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 872.48 KB)
PDFBLP10H605AZ 데이터 시트 표지
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BLP10H605AZ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득22.4dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력5W
전압-정격104V
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-HVSON (6x4)

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.7GHz ~ 3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

ATF-541M4-BLK

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

60mA

전원-출력

21.4dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0505 (1412 Metric)

공급자 장치 패키지

MiniPak 1412

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

450MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

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