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BSO330N02KGFUMA1

BSO330N02KGFUMA1

참조 용

부품 번호 BSO330N02KGFUMA1
PNEDA 부품 번호 BSO330N02KGFUMA1
설명 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSO330N02KGFUMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSO330N02KGFUMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSO330N02KGFUMA1, BSO330N02KGFUMA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 531.63 KB)
PDFBSO330N02KGFUMA1 데이터 시트 표지
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BSO330N02KGFUMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds730pF @ 10V
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지PG-DSO-8

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1286pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

DMC3061SVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NTMFD5C674NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

APTMC60TLM14CAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

219A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

483nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 1000V

전력-최대

925W

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장착 유형

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