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BU2510-M3/51

BU2510-M3/51

참조 용

부품 번호 BU2510-M3/51
PNEDA 부품 번호 BU2510-M3-51
설명 BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,230
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예상 배송 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BU2510-M3/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BU2510-M3/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
BU2510-M3/51, BU2510-M3/51 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 117.06 KB)
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BU2510-M3/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)3.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 12.5A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, BU
공급자 장치 패키지isoCINK+™ BU

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1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3.6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

TS-6P

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

2.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

TS6K60HD3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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