CAS325M12HM2
참조 용
| 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| PNEDA 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,002 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
CAS325M12HM2 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- CAS325M12HM2 Datasheet
- where to find CAS325M12HM2
- Cree/Wolfspeed
- Cree/Wolfspeed CAS325M12HM2
- CAS325M12HM2 PDF Datasheet
- CAS325M12HM2 Stock
- CAS325M12HM2 Pinout
- Datasheet CAS325M12HM2
- CAS325M12HM2 Supplier
- Cree/Wolfspeed Distributor
- CAS325M12HM2 Price
- CAS325M12HM2 Distributor
CAS325M12HM2 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | Z-REC™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 444A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 105mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 3000W |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1770pF @ 13V 전력-최대 2.2W, 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A, 1.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 295pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 633pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1090pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A, 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 472pF @ 15V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
