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CEDM7004 BK

CEDM7004 BK

참조 용

부품 번호 CEDM7004 BK
PNEDA 부품 번호 CEDM7004-BK
설명 MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CEDM7004 BK 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CEDM7004 BK
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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CEDM7004 BK 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.78A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.79nC @ 4.5V
Vgs (최대)8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds43pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)100mW (Ta)
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-883
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7820pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta), 333W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

650mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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8-SOP

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

640nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

580pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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